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簡(jiǎn)要描述：美國(guó) UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片等電子設(shè)備。產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497（VX同號(hào)）
產(chǎn)品型號(hào)：JGS3廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-12-20訪 問 量：798
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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美國(guó) UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓 UV、JGS1、JGS2、JGS3
熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片等電子設(shè)備。熔融石英，也稱為熔融石英，是一種高純度和透明的二氧化硅形式，是通過在高溫下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很強(qiáng)的耐熱性、耐化學(xué)性和耐化學(xué)性，使其成為電子設(shè)備生產(chǎn)中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低，它們還用于生產(chǎn)光學(xué)元件，例如鏡頭和鏡子。
我們備有所有三個(gè)等級(jí)的庫(kù)存，供您各自的研究使用
直徑 | 厚 （um） | 波蘭語 | |||
| 50.8 毫米 | 500 微米 | 擦光 | |||
JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm，背面粗糙度 Ra <1nm，S/D 40/20 | |||||
| 50.8 毫米 | 100 微米 | DSP | |||
| 76.2 毫米 | 500 微米 | DSP | |||
1 平面 JGS2 初級(jí)平面 32.5+/-2mm，頂部 Ra <10A，S/D 40/20 | |||||
| 100 毫米 | 500 微米 | DSP | |||
機(jī)械級(jí)熔融石英 | |||||
| 100 毫米 | 500 微米 | DSP | |||
| 100 毫米 | 1000 微米 | DSP | |||
熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um， TTV <10um， 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm， S/D 60/40 平面： 32.5+/-2mm | |||||
| 100 毫米 | 700 微米 | DSP | |||
| 100 毫米 | 180 微米 | DSP | |||
熔融石英晶圓，JGS2，C 坡口，2.50 mm +/- 0.10 mm | |||||
| 100 毫米 | 2500 微米 | DSP | |||
密度：約 2.2 g/cm3。
楊氏模量 （E）：通常在 72 GPa（千兆帕）左右，表明其剛度。
泊松比：大約 0.17，這是相對(duì)收縮應(yīng)變（橫向、橫向或徑向應(yīng)變）與相對(duì)拉伸應(yīng)變（或軸向應(yīng)變）的比率。
硬度：莫氏硬度在 7 左右，使其相對(duì)堅(jiān)硬且耐刮擦。
抗張強(qiáng)度：通常約為 48 MPa（兆帕）。表面缺陷會(huì)顯著降低實(shí)際拉伸強(qiáng)度。
抗壓強(qiáng)度：超過 1 GPa，遠(yuǎn)高于其抗拉強(qiáng)度。
熱膨脹系數(shù)：非常低，約為 0.55 x 10??/°C，使其在很寬的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。
折射率：在 589 nm（可見波長(zhǎng)）處約為 1.4585。該值在不同波長(zhǎng)上會(huì)略有變化。
傳輸：熔融石英在紫外線 （UV） 到紅外線 （IR） 范圍內(nèi)具有高度透明性。它具有出色的透射率，在紫外到近紅外范圍內(nèi)通常超過 90%。
阿貝數(shù)：約為 67.56，表明色散相對(duì)較低。
雙 折射：熔融石英是各向同性的，當(dāng)它不受應(yīng)力時(shí)不會(huì)表現(xiàn)出雙折射。
吸收：熔融石英在紫外到近紅外范圍內(nèi)的吸收率最小，但在深紫外和遠(yuǎn)紅外范圍內(nèi)的吸收率會(huì)增加。
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